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G01N20LE
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

G01N20LE

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷, 可用于各种应用。

品牌

GOFORD

封装

SOT-23-3L

库存

2,040

货期

现货

G01N20LE参数

封装SOT-23-3L
品牌GOFORD(谷峰)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2040

G01N20LE概述

使用先进的沟槽技术, 提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷, 可用于各种应用。

G01N20LE特性

暂无产品特性。

G01N20LE应用领域

暂无应用领域。

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