FZT855TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT855TA
特性：BVCEO > 150V。 高连续集电极电流：IC = 5A。 峰值脉冲电流：ICM = 10A。 极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。 低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 高增益保持：hFE 规定至 10A。 互补 PNP 类型。 无铅涂层。 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， 绿色器件
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
843
货期
现货
FZT855TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 843 |
FZT855TA概述
特性：BVCEO > 150V。 高连续集电极电流：IC = 5A。 峰值脉冲电流：ICM = 10A。 极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。 低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 高增益保持：hFE 规定至 10A。 互补 PNP 类型。 无铅涂层。 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， 绿色器件
FZT855TA特性
暂无产品特性。
FZT855TA应用领域
暂无应用领域。