FZT853TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT853TA
特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A， 高连续集电极电流。 ICM = 10A， 峰值脉冲电流。 低饱和电压， VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ， 低等效导通电阻。 hFE指定至10A， 高增益保持。 互补PNP类型：FZT953。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 高可靠性
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
206
货期
现货
FZT853TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 206 |
FZT853TA概述
特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A， 高连续集电极电流。 ICM = 10A， 峰值脉冲电流。 低饱和电压， VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ， 低等效导通电阻。 hFE指定至10A， 高增益保持。 互补PNP类型：FZT953。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 高可靠性
FZT853TA特性
暂无产品特性。
FZT853TA应用领域
暂无应用领域。