FZT851TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT851TA
特性：BVCEO > 60V。 集电极连续电流高， Ic = 6A。 脉冲峰值电流， ICM = 20A。 低饱和电压， VCE(sat) < 100mV @ 1A。 低等效导通电阻， RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定， 高增益保持。 互补PNP类型：FZT951。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用， 该产品符合AEC-Q101标准， 具备PPAP能力， 在通过IATF16949认证的工厂生产
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
2
货期
现货
FZT851TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
FZT851TA概述
特性：BVCEO > 60V。 集电极连续电流高， Ic = 6A。 脉冲峰值电流， ICM = 20A。 低饱和电压， VCE(sat) < 100mV @ 1A。 低等效导通电阻， RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定， 高增益保持。 互补PNP类型：FZT951。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用， 该产品符合AEC-Q101标准， 具备PPAP能力， 在通过IATF16949认证的工厂生产
FZT851TA特性
暂无产品特性。
FZT851TA应用领域
暂无应用领域。