FZT849TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT849TA
特性：BVCEO > 30V。 高连续集电极电流：IC = 7A。 峰值脉冲电流：ICM = 20A。 功率耗散：PD = 3W。 极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。 极低的饱和电压。 互补PNP型FZT949。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
752
货期
现货
FZT849TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 752 |
FZT849TA概述
特性：BVCEO > 30V。 高连续集电极电流：IC = 7A。 峰值脉冲电流：ICM = 20A。 功率耗散：PD = 3W。 极低的等效导通电阻：RCE(SAT) = 36Ω（5A时）。 极低的饱和电压。 互补PNP型FZT949。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准， 可靠性高
FZT849TA特性
暂无产品特性。
FZT849TA应用领域
暂无应用领域。