FZT789A
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT789A
特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ， 低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A， 高增益保持。 互补 NPN 类型：FZT689B。 应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电池供电电路
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
170
货期
现货
FZT789A参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 170 |
FZT789A概述
特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。 低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ， 低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A， 高增益保持。 互补 NPN 类型：FZT689B。 应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 电池供电电路
FZT789A特性
暂无产品特性。
FZT789A应用领域
暂无应用领域。