FZT758TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT758TA
特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。 互补 NPN 类型。 无铅涂层； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
133
货期
现货
FZT758TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 133 |
FZT758TA概述
特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。 互补 NPN 类型。 无铅涂层； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
FZT758TA特性
暂无产品特性。
FZT758TA应用领域
暂无应用领域。