FZT751TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT751TA
特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A， 高连续电流。 ICM = -6A， 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。 互补 NPN 型：FZT651。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
1,584
货期
现货
FZT751TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1584 |
FZT751TA概述
特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A， 高连续电流。 ICM = -6A， 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。 互补 NPN 型：FZT651。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动
FZT751TA特性
暂无产品特性。
FZT751TA应用领域
暂无应用领域。