FZT658TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT658TA
特性：BVCEO > 400V。 高连续电流：IC = 500mA。 峰值脉冲电流：ICM = 1A。 低饱和电压：VCE(sat) < 250mV @ 50mA。 高电流增益保持：hFE > 40（指定至200mA）。 互补PNP类型：FZT758。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
799
货期
现货
FZT658TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 799 |
FZT658TA概述
特性：BVCEO > 400V。 高连续电流：IC = 500mA。 峰值脉冲电流：ICM = 1A。 低饱和电压：VCE(sat) < 250mV @ 50mA。 高电流增益保持：hFE > 40（指定至200mA）。 互补PNP类型：FZT758。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件
FZT658TA特性
暂无产品特性。
FZT658TA应用领域
暂无应用领域。