FZT649TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT649TA
特性：BVCEO > 25V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 8A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。 互补 PNP 型。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
486
货期
现货
FZT649TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 486 |
FZT649TA概述
特性：BVCEO > 25V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 8A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。 互补 PNP 型。 无铅表面处理； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
FZT649TA特性
暂无产品特性。
FZT649TA应用领域
暂无应用领域。