FZT591ATA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT591ATA
特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A， 高连续电流。 低饱和电压VCE(SAT) <-500mV @-1A。 互补NPN类型。 无铅涂层； 符合ROHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 应用：功率MOSFET和IGBT栅极驱动。 低损耗功率开关
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
15
货期
现货
FZT591ATA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
FZT591ATA概述
特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A， 高连续电流。 低饱和电压VCE(SAT) <-500mV @-1A。 互补NPN类型。 无铅涂层； 符合ROHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 应用：功率MOSFET和IGBT栅极驱动。 低损耗功率开关
FZT591ATA特性
暂无产品特性。
FZT591ATA应用领域
暂无应用领域。