FZT558TA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT558TA
特性：BVCEO >-400V。 IC =-200mA 高连续电流。 高达-100mA 具有出色的 hFE 特性。 低饱和电压 VCE(sat) <-200mV @-20mA。 互补 NPN 类型。 无铅涂层； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
9
货期
现货
FZT558TA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
FZT558TA概述
特性：BVCEO >-400V。 IC =-200mA 高连续电流。 高达-100mA 具有出色的 hFE 特性。 低饱和电压 VCE(sat) <-200mV @-20mA。 互补 NPN 类型。 无铅涂层； 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑， “绿色”器件
FZT558TA特性
暂无产品特性。
FZT558TA应用领域
暂无应用领域。