FZT1151ATA
IC
SOT-223
可供量大可议
FZT1151ATA
特性：BVCEO >-40V。 高连续集电极电流：IC =-3A。 峰值脉冲电流：ICM =-5A。 低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准， 具有高可靠性
品牌
DIODES
封装
SOT-223
库存
21
货期
现货
FZT1151ATA参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | DIODES(美台) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
FZT1151ATA概述
特性：BVCEO >-40V。 高连续集电极电流：IC =-3A。 峰值脉冲电流：ICM =-5A。 低饱和电压：VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。 无铅涂层； 符合RoHS标准。 无卤素和锑， “绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准， 具有高可靠性
FZT1151ATA特性
暂无产品特性。
FZT1151ATA应用领域
暂无应用领域。