FTR-K1CK012W
IC
DIP, 29x12.7mm
可供量大可议
FTR-K1CK012W
特性：峰值80A浪涌电流（1 form A类型）。 低外形（高度：15.7mm）。 高绝缘。 绝缘距离（线圈和触点之间）：最小10mm。 介电强度：5kV。 浪涌强度：10kV。 F级线圈线。 低线圈功率（400mW）。 无镉触点。 安全标准：UL、CSA、VDE、SEMKO认证； UL、CSA TV-5等级认证（1 form A类型）。 耐焊剂， RTII。 符合RoHS标准
品牌
FUJITSU
封装
DIP, 29x12.7mm
库存
246
货期
现货
FTR-K1CK012W参数
| 封装 | DIP, 29x12.7mm |
|---|---|
| 品牌 | FUJITSU(富士通) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率继电器 |
|---|---|
| 库存 | 246 |
FTR-K1CK012W概述
特性：峰值80A浪涌电流（1 form A类型）。 低外形（高度：15.7mm）。 高绝缘。 绝缘距离（线圈和触点之间）：最小10mm。 介电强度：5kV。 浪涌强度：10kV。 F级线圈线。 低线圈功率（400mW）。 无镉触点。 安全标准：UL、CSA、VDE、SEMKO认证； UL、CSA TV-5等级认证（1 form A类型）。 耐焊剂， RTII。 符合RoHS标准
FTR-K1CK012W特性
暂无产品特性。
FTR-K1CK012W应用领域
暂无应用领域。