FTR-F1LDAA024R-NV
IC
DIP, 29x12.8mm
可供量大可议
FTR-F1LDAA024R-NV
特性：低外形。 高度：16.5mm。 高隔离。 绝缘距离：8mm（线圈和触点之间）。 介电强度：5,000VAC（线圈和触点之间）。 浪涌强度：10,000V（线圈和触点之间）。 塑料材料。 UL94阻燃等级V-0。 无镉继电器。 无铅继电器
品牌
FUJITSU
封装
DIP, 29x12.8mm
库存
90
货期
现货
FTR-F1LDAA024R-NV参数
| 封装 | DIP, 29x12.8mm |
|---|---|
| 品牌 | FUJITSU(富士通) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率继电器 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
FTR-F1LDAA024R-NV概述
特性：低外形。 高度：16.5mm。 高隔离。 绝缘距离：8mm（线圈和触点之间）。 介电强度：5,000VAC（线圈和触点之间）。 浪涌强度：10,000V（线圈和触点之间）。 塑料材料。 UL94阻燃等级V-0。 无镉继电器。 无铅继电器
FTR-F1LDAA024R-NV特性
暂无产品特性。
FTR-F1LDAA024R-NV应用领域
暂无应用领域。