FTR-F1AA012V
IC
DIP, 29x12.8mm
可供量大可议
FTR-F1AA012V
特性：低外形（高度：16.5mm）。 DPST/DPDT 5A。 高绝缘性（由于其加强绝缘结构）。 绝缘距离（线圈和触点之间）：最小8mm。 介电强度：5000VAC。 浪涌强度：10000V。 引脚配置与VB兼容。 UL、CSA、VDE、CQC认证。 符合RoHS标准
品牌
FUJITSU
封装
DIP, 29x12.8mm
库存
195
货期
现货
FTR-F1AA012V参数
| 封装 | DIP, 29x12.8mm |
|---|---|
| 品牌 | FUJITSU(富士通) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率继电器 |
|---|---|
| 库存 | 195 |
FTR-F1AA012V概述
特性：低外形（高度：16.5mm）。 DPST/DPDT 5A。 高绝缘性（由于其加强绝缘结构）。 绝缘距离（线圈和触点之间）：最小8mm。 介电强度：5000VAC。 浪涌强度：10000V。 引脚配置与VB兼容。 UL、CSA、VDE、CQC认证。 符合RoHS标准
FTR-F1AA012V特性
暂无产品特性。
FTR-F1AA012V应用领域
暂无应用领域。