FTE03R20D

N+P双通道MOSFET， 采用平面工艺设计， 可靠性高， 性能优异， SOP-8双芯小型化封装， 此微型集成器件提供了单组件方案， N、P管的G-S间均集成了电阻与齐纳二极管（可对G-S电压进行钳位）， 输入阻抗高， 且具有较强的功率处理能力， 是高压脉冲发生器应用的理想选择。