FTD36N06N-VB
自营可供
IC
TO-252
FTD36N06N-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 具有高效、稳定和可靠的特性， 可满足不同应用的需求， 适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 45A； RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
FTD36N06N-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:45A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
| 商品型号 | FTD36N06N-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000378 |
FTD36N06N-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 具有高效、稳定和可靠的特性， 可满足不同应用的需求， 适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。 TO252； N—Channel沟道, 60V； 45A； RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
FTD36N06N-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 可承受175°C结温
- 符合RoHS标准
- 漏极连接至散热片
- N沟道MOSFET