FT61F131B-RB
IC
SOP-8
可供量大可议
FT61F131B-RB
特性：只需学习35条指令。 所有指令均为单周期（除了分支跳转）。 存储架构：程序ROM 3k x 14bits， 数据RAM 256 x 8bits， 数据EEPROM 128 x 8bits。 8层硬件堆栈。 可选的指令周期：2T/4T， 125ns @ 2T， 16MHz， VDD≥2.7V。 工作温度范围：-40℃-85℃。 宽工作电压范围：1.9V~5.5V。 时钟源：两个内部时钟， 13.5M/16M高速高精度HIRC， 支持软件微调， 每步2.5%； 32k低速低功耗LIRC； 晶体振荡器和外部时钟输入； 晶体时钟缺失检测； 晶体时钟配置下的双速时钟启动； 慢时钟周期测量
品牌
FMD
封装
SOP-8
库存
535
货期
现货
FT61F131B-RB参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | FMD(辉芒微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 535 |
FT61F131B-RB概述
特性：只需学习35条指令。 所有指令均为单周期（除了分支跳转）。 存储架构：程序ROM 3k x 14bits， 数据RAM 256 x 8bits， 数据EEPROM 128 x 8bits。 8层硬件堆栈。 可选的指令周期：2T/4T， 125ns @ 2T， 16MHz， VDD≥2.7V。 工作温度范围：-40℃-85℃。 宽工作电压范围：1.9V~5.5V。 时钟源：两个内部时钟， 13.5M/16M高速高精度HIRC， 支持软件微调， 每步2.5%； 32k低速低功耗LIRC； 晶体振荡器和外部时钟输入； 晶体时钟缺失检测； 晶体时钟配置下的双速时钟启动； 慢时钟周期测量
FT61F131B-RB特性
暂无产品特性。
FT61F131B-RB应用领域
暂无应用领域。