库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FSV10100V-HXY
IC

TO-277

可供量大可议

FSV10100V-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)低至0.67V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 并能承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和良好的瞬态电流耐受能力, 适用于对效率和热管理要求较高的开关电源、适配器及各类直流转换电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-277

库存

74

货期

现货

FSV10100V-HXY参数

封装TO-277
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存74

FSV10100V-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)低至0.67V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 并能承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和良好的瞬态电流耐受能力, 适用于对效率和热管理要求较高的开关电源、适配器及各类直流转换电路中。

FSV10100V-HXY特性

暂无产品特性。

FSV10100V-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件