FSV10100V-HXY
IC
TO-277
可供量大可议
FSV10100V-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)低至0.67V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 并能承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和良好的瞬态电流耐受能力, 适用于对效率和热管理要求较高的开关电源、适配器及各类直流转换电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-277
库存
74
货期
现货
FSV10100V-HXY参数
| 封装 | TO-277 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 74 |
FSV10100V-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)低至0.67V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 并能承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和良好的瞬态电流耐受能力, 适用于对效率和热管理要求较高的开关电源、适配器及各类直流转换电路中。
FSV10100V-HXY特性
暂无产品特性。
FSV10100V-HXY应用领域
暂无应用领域。
