FSU10D60-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
FSU10D60-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料的特性, 具备优异的高频性能与热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换、高频整流及高密度电力电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
21
货期
现货
FSU10D60-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
FSU10D60-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料的特性, 具备优异的高频性能与热稳定性, 适用于对效率和响应速度有较高要求的电源转换、高频整流及高密度电力电子系统中。
FSU10D60-HXY特性
暂无产品特性。
FSU10D60-HXY应用领域
暂无应用领域。
