FS50R12W1T7_B11
IC
可供量大可议
FS50R12W1T7_B11
特性：低 VcEsat。 Trenchstop™ IGBT7。 高达 175℃ 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al₂O₃ 低热阻基板。 高功率密度。 应用：辅助逆变器。 空调
品牌
Infineon
封装
库存
23
货期
现货
FS50R12W1T7_B11参数
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
|---|---|
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
FS50R12W1T7_B11概述
特性：低 VcEsat。 Trenchstop™ IGBT7。 高达 175℃ 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al₂O₃ 低热阻基板。 高功率密度。 应用：辅助逆变器。 空调
FS50R12W1T7_B11特性
暂无产品特性。
FS50R12W1T7_B11应用领域
暂无应用领域。