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FR015L3EZ
IC

VDFN-6(2x2)

可供量大可议

FR015L3EZ

反向偏置是一种日益常见的故障事件, 可能由用户操作失误、电池安装不当、汽车环境、与第三方充电器错误连接、负“热插拔”瞬态、电感瞬态以及容易获取的负偏置劣质 USB 充电器等因素引发。 FR 器件是低电阻串联开关, 在出现反向偏置情况时, 会切断电源并阻断负电压, 以帮助保护下游电路。 FR 器件针对应用进行了优化, 在提供同类最佳的反向偏置保护和电压能力的同时, 将尺寸、串联电压降和正常工作功耗降至最低。 在反向偏置应用中, FR015L3EZ 器件能有效实现全电压阻断, 可轻松保护额定电压为 -0.3V 的硅器件。 从功率角度来看, 在正常偏置下, 一个 15mΩ 的 FR 器件在 0.1A 的应用中仅会产生 1.5mV 的电压降或 0.15mW 的功率损耗。 在反向偏置时, FR 器件在 3V 反向偏置事件中的功耗低于 10μW。 这种性能是二极管解决方案无法实现的。 其优势不仅体现在器件本身。 由于功耗低, 不仅器件尺寸小, 而且散热要求和成本也能降至最低。

品牌

onsemi

封装

VDFN-6(2x2)

库存

6

货期

现货

FR015L3EZ参数

封装VDFN-6(2x2)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类功率电子开关
库存6

FR015L3EZ概述

反向偏置是一种日益常见的故障事件, 可能由用户操作失误、电池安装不当、汽车环境、与第三方充电器错误连接、负“热插拔”瞬态、电感瞬态以及容易获取的负偏置劣质 USB 充电器等因素引发。 FR 器件是低电阻串联开关, 在出现反向偏置情况时, 会切断电源并阻断负电压, 以帮助保护下游电路。 FR 器件针对应用进行了优化, 在提供同类最佳的反向偏置保护和电压能力的同时, 将尺寸、串联电压降和正常工作功耗降至最低。 在反向偏置应用中, FR015L3EZ 器件能有效实现全电压阻断, 可轻松保护额定电压为 -0.3V 的硅器件。 从功率角度来看, 在正常偏置下, 一个 15mΩ 的 FR 器件在 0.1A 的应用中仅会产生 1.5mV 的电压降或 0.15mW 的功率损耗。 在反向偏置时, FR 器件在 3V 反向偏置事件中的功耗低于 10μW。 这种性能是二极管解决方案无法实现的。 其优势不仅体现在器件本身。 由于功耗低, 不仅器件尺寸小, 而且散热要求和成本也能降至最低。

FR015L3EZ特性

暂无产品特性。

FR015L3EZ应用领域

暂无应用领域。

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