FQU5N60CTU
IC
TO-251-3L
可供量大可议
FQU5N60CTU
此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计, 可降低导通电阻, 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
品牌
onsemi
封装
TO-251-3L
库存
2
货期
现货
FQU5N60CTU参数
| 封装 | TO-251-3L |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
FQU5N60CTU概述
此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计, 可降低导通电阻, 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
FQU5N60CTU特性
暂无产品特性。
FQU5N60CTU应用领域
暂无应用领域。
