库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
FQU5N60CTU
IC

TO-251-3L

可供量大可议

FQU5N60CTU

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计, 可降低导通电阻, 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

品牌

onsemi

封装

TO-251-3L

库存

2

货期

现货

FQU5N60CTU参数

封装TO-251-3L
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

FQU5N60CTU概述

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别设计, 可降低导通电阻, 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

FQU5N60CTU特性

暂无产品特性。

FQU5N60CTU应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件