FQT1N60C-VB
IC
SOT-223
可供量大可议
FQT1N60C-VB
SOT223； N—Channel沟道, 650V； 1.2A； RDS(ON)=8400mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
SOT-223
库存
20
货期
现货
FQT1N60C-VB参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
FQT1N60C-VB概述
SOT223； N—Channel沟道, 650V； 1.2A； RDS(ON)=8400mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=2~4V
FQT1N60C-VB特性
暂无产品特性。
FQT1N60C-VB应用领域
暂无应用领域。