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FQPF9N50CF
IC

TO-220FPAB-3

可供量大可议

FQPF9N50CF

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别调整, 可降低导通电阻, 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

品牌

onsemi

封装

TO-220FPAB-3

库存

20

货期

现货

FQPF9N50CF参数

封装TO-220FPAB-3
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

FQPF9N50CF概述

此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。 这种先进的MOSFET技术经过特别调整, 可降低导通电阻, 并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

FQPF9N50CF特性

暂无产品特性。

FQPF9N50CF应用领域

暂无应用领域。

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