FQPF4N65SE
IC
TO-220F
可供量大可议
FQPF4N65SE
N-Channel沟道, BVDSS=650V, ID=4A， RDS(on):2.50Ω(Max)@VG=10V
品牌
KTP
封装
TO-220F
库存
435
货期
现货
FQPF4N65SE参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | KTP(科泰普) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 435 |
FQPF4N65SE概述
N-Channel沟道, BVDSS=650V, ID=4A， RDS(on):2.50Ω(Max)@VG=10V
FQPF4N65SE特性
暂无产品特性。
FQPF4N65SE应用领域
暂无应用领域。