FQPF4N60C-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
FQPF4N60C-VB
台积电流片， 长电封测。 𮧂 𢺫 򏟋 V, 󺺆 A, RDS(ON), 򘞟 𢺫 𮧂 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 򑵼 Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET， 采用 Plannar 技术制造， 具有高性能和可靠性。 其封装为 TO򘞟 򘞟 򏟋 F， 适用于各种电源和功率控制应用。
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
45
货期
现货
FQPF4N60C-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
FQPF4N60C-VB概述
台积电流片， 长电封测。 𮧂 𢺫 򏟋 V, 󺺆 A, RDS(ON), 򘞟 𢺫 𮧂 򏟋 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 򬓹 񄂹 򑵼 Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET， 采用 Plannar 技术制造， 具有高性能和可靠性。 其封装为 TO򘞟 򘞟 򏟋 F， 适用于各种电源和功率控制应用。
FQPF4N60C-VB特性
暂无产品特性。
FQPF4N60C-VB应用领域
暂无应用领域。