FQPF27P06

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。 此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻， 提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。