FQPF19N20C
IC
TO-220F-3
可供量大可议
FQPF19N20C
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。 此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻， 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
品牌
onsemi
封装
TO-220F-3
库存
997
货期
现货
FQPF19N20C参数
| 封装 | TO-220F-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 997 |
FQPF19N20C概述
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。 此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻， 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
FQPF19N20C特性
暂无产品特性。
FQPF19N20C应用领域
暂无应用领域。