FQPF13N50CF-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的耐压能力和良好的开关特性。 其漏极电流ID为13A， 漏源电压VDSS高达500V， 适用于高压应用场景。 导通电阻RDON为400mΩ， 在高频开关条件下仍能保持较低损耗。 该器件广泛用于电源变换器、高压直流控制、充电管理电路及家用电器中的功率开关部分， 适合对效率与稳定性有一定要求的电路设计。