FQPF12N60SE
IC
TO-220F
可供量大可议
FQPF12N60SE
N-Channel沟道， BVDSS=650V, ID=12A， RDS(on):0.68Ω(Max)@VG=10V
品牌
KTP
封装
TO-220F
库存
802
货期
现货
FQPF12N60SE参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | KTP(科泰普) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 802 |
FQPF12N60SE概述
N-Channel沟道， BVDSS=650V, ID=12A， RDS(on):0.68Ω(Max)@VG=10V
FQPF12N60SE特性
暂无产品特性。
FQPF12N60SE应用领域
暂无应用领域。