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FQPF11N50CF-VB
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IC

TO-220F

FQPF11N50CF-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N场效应管, 采用Plannar技术制造。 适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。 TO220F; N—Channel沟道, 550V; 18A; RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

交期

现货

批次

—

FQPF11N50CF-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

FQPF11N50CF-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N场效应管, 采用Plannar技术制造。 适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。 TO220F; N—Channel沟道, 550V; 18A; RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

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