FQPF10N60SE
IC
TO-220F
可供量大可议
FQPF10N60SE
N-Channel沟道, BVDSS=650V, ID=10A， RDS(on):0.9Ω(Max)@VG=10V
品牌
KTP
封装
TO-220F
库存
180
货期
现货
FQPF10N60SE参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | KTP(科泰普) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 180 |
FQPF10N60SE概述
N-Channel沟道, BVDSS=650V, ID=10A， RDS(on):0.9Ω(Max)@VG=10V
FQPF10N60SE特性
暂无产品特性。
FQPF10N60SE应用领域
暂无应用领域。