FQPF10N60C-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
FQPF10N60C-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用平面工艺制造， 适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
50
货期
现货
FQPF10N60C-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 耗散功率(Pd) | 106W |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:650V 电流:9.4A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
| 商品型号 | FQPF10N60C-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.002874 |
FQPF10N60C-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用平面工艺制造， 适用工业电源、电动车充电器、太阳能逆变器等领域。 TO220F； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=3~5V
FQPF10N60C-VB特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定 (UIS)
FQPF10N60C-VB应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域