FQP9N08-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
FQP9N08-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于多种低功率功率电子应用。 具有高性能和可靠性， 特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 18A； RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
Brand
VBsemi
Package
TO-220AB
Stock
20
货期
现货
FQP9N08-VBParameters
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
FQP9N08-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道功率MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于多种低功率功率电子应用。 具有高性能和可靠性， 特别适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。 TO220； N—Channel沟道, 100V； 18A； RDS(ON)=127mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
FQP9N08-VB特性
暂无产品特性。
FQP9N08-VB应用领域
暂无应用领域。