FQP90N10V2-HXY

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为70A， 漏源击穿电压为100V， 导通电阻为8.5毫欧， 最大栅源电压为20V。 器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能有要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用。 其电气参数支持稳定可靠的开关操作， 适合在紧凑型功率系统中使用。