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FQP8P10-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

FQP8P10-VB

台积电流片, 长电科技封装; TO220; P—Channel沟道, -100V; -18A; RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V; 是一款单P型场效晶体管, 采用Trench技术, 具有较低的导通电阻和较高的开关速度, 适用于多种电源控制和开关应用。

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

47

货期

现货

FQP8P10-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

FQP8P10-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; TO220; P—Channel沟道, -100V; -18A; RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V; 是一款单P型场效晶体管, 采用Trench技术, 具有较低的导通电阻和较高的开关速度, 适用于多种电源控制和开关应用。

FQP8P10-VB特性

暂无产品特性。

FQP8P10-VB应用领域

暂无应用领域。

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