FQP6N80C-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
FQP6N80C-VB
TO220； N—Channel沟道, 950V； 6A； RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 采用Plannar技术
品牌
VBsemi
封装
TO-220AB
库存
13
货期
现货
FQP6N80C-VB参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
FQP6N80C-VB概述
TO220； N—Channel沟道, 950V； 6A； RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 采用Plannar技术
FQP6N80C-VB特性
暂无产品特性。
FQP6N80C-VB应用领域
暂无应用领域。