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FQP5N50C-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FQP5N50C-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A, 漏源击穿电压达500V, 导通电阻典型值为1200毫欧, 栅源电压耐受范围至30V。 器件适用于高压开关及功率转换场景, 如照明驱动、适配器电源及电机控制电路。 其参数设计兼顾耐压与导通特性, 适合在需要高效能开关表现的电子设备中作为核心功率控制元件使用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

FQP5N50C-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

FQP5N50C-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A, 漏源击穿电压达500V, 导通电阻典型值为1200毫欧, 栅源电压耐受范围至30V。 器件适用于高压开关及功率转换场景, 如照明驱动、适配器电源及电机控制电路。 其参数设计兼顾耐压与导通特性, 适合在需要高效能开关表现的电子设备中作为核心功率控制元件使用。

FQP5N50C-HXY特性

暂无产品特性。

FQP5N50C-HXY应用领域

暂无应用领域。

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