FQP5N50C-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FQP5N50C-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A, 漏源击穿电压达500V, 导通电阻典型值为1200毫欧, 栅源电压耐受范围至30V。 器件适用于高压开关及功率转换场景, 如照明驱动、适配器电源及电机控制电路。 其参数设计兼顾耐压与导通特性, 适合在需要高效能开关表现的电子设备中作为核心功率控制元件使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
FQP5N50C-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
FQP5N50C-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A, 漏源击穿电压达500V, 导通电阻典型值为1200毫欧, 栅源电压耐受范围至30V。 器件适用于高压开关及功率转换场景, 如照明驱动、适配器电源及电机控制电路。 其参数设计兼顾耐压与导通特性, 适合在需要高效能开关表现的电子设备中作为核心功率控制元件使用。
FQP5N50C-HXY特性
暂无产品特性。
FQP5N50C-HXY应用领域
暂无应用领域。
