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FQP50N06L-EPKE0003-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FQP50N06L-EPKE0003-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 可实现高效电能切换与热管理优化。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

110

货期

现货

FQP50N06L-EPKE0003-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存110

FQP50N06L-EPKE0003-HXY概述

该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 可实现高效电能切换与热管理优化。

FQP50N06L-EPKE0003-HXY特性

暂无产品特性。

FQP50N06L-EPKE0003-HXY应用领域

暂无应用领域。

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