FQP50N06L-EPKE0003-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FQP50N06L-EPKE0003-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 可实现高效电能切换与热管理优化。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
110
货期
现货
FQP50N06L-EPKE0003-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
FQP50N06L-EPKE0003-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60A, 漏源击穿电压达60V, 导通电阻典型值为17毫欧, 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于大电流开关场景, 如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元, 可实现高效电能切换与热管理优化。
FQP50N06L-EPKE0003-HXY特性
暂无产品特性。
FQP50N06L-EPKE0003-HXY应用领域
暂无应用领域。
