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FQP46N15-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

FQP46N15-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单晶N沟道场效应管, 采用Trench工艺制造, 适用于中功率电源模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO220; N—Channel沟道, 150V; 50A; RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

10

货期

现货

FQP46N15-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

FQP46N15-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单晶N沟道场效应管, 采用Trench工艺制造, 适用于中功率电源模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO220; N—Channel沟道, 150V; 50A; RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2~4V

FQP46N15-VB特性

暂无产品特性。

FQP46N15-VB应用领域

暂无应用领域。

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