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FQP19N20L-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FQP19N20L-HXY

这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理水平。 其导通电阻维持在120mΩ, 配合±20V的栅源极电压范围, 确保了在高压环境下的快速响应与低损耗运行。 这种特性使其非常适合应用于各类开关电源、DC-DC变换器以及高功率电机驱动电路, 能够在复杂的电子系统中提供稳定的功率切换与信号放大支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

7

货期

现货

FQP19N20L-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存7

FQP19N20L-HXY概述

这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理水平。 其导通电阻维持在120mΩ, 配合±20V的栅源极电压范围, 确保了在高压环境下的快速响应与低损耗运行。 这种特性使其非常适合应用于各类开关电源、DC-DC变换器以及高功率电机驱动电路, 能够在复杂的电子系统中提供稳定的功率切换与信号放大支持。

FQP19N20L-HXY特性

暂无产品特性。

FQP19N20L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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