FQP19N20L-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FQP19N20L-HXY
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理水平。 其导通电阻维持在120mΩ, 配合±20V的栅源极电压范围, 确保了在高压环境下的快速响应与低损耗运行。 这种特性使其非常适合应用于各类开关电源、DC-DC变换器以及高功率电机驱动电路, 能够在复杂的电子系统中提供稳定的功率切换与信号放大支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
7
货期
现货
FQP19N20L-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
FQP19N20L-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高效功率管理设计, 具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理水平。 其导通电阻维持在120mΩ, 配合±20V的栅源极电压范围, 确保了在高压环境下的快速响应与低损耗运行。 这种特性使其非常适合应用于各类开关电源、DC-DC变换器以及高功率电机驱动电路, 能够在复杂的电子系统中提供稳定的功率切换与信号放大支持。
FQP19N20L-HXY特性
暂无产品特性。
FQP19N20L-HXY应用领域
暂无应用领域。
