FQP18N20V2-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
FQP18N20V2-HXY
这款N沟道场效应管具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理能力, 其导通电阻控制在120mΩ(典型值), 配合±20V的栅源极电压范围, 使其在高压环境下能实现高效的开关动作。 得益于较低的导通损耗, 器件在运行中能有效抑制发热, 提升系统的整体能效。 该组件适用于各类电源转换模块、电机驱动电路以及高亮度照明控制系统, 为复杂的电子架构提供稳定可靠的功率管理支持。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
14
货期
现货
FQP18N20V2-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14 |
FQP18N20V2-HXY概述
这款N沟道场效应管具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理能力, 其导通电阻控制在120mΩ(典型值), 配合±20V的栅源极电压范围, 使其在高压环境下能实现高效的开关动作。 得益于较低的导通损耗, 器件在运行中能有效抑制发热, 提升系统的整体能效。 该组件适用于各类电源转换模块、电机驱动电路以及高亮度照明控制系统, 为复杂的电子架构提供稳定可靠的功率管理支持。
FQP18N20V2-HXY特性
暂无产品特性。
FQP18N20V2-HXY应用领域
暂无应用领域。
