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FQP18N20V2-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

FQP18N20V2-HXY

这款N沟道场效应管具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理能力, 其导通电阻控制在120mΩ(典型值), 配合±20V的栅源极电压范围, 使其在高压环境下能实现高效的开关动作。 得益于较低的导通损耗, 器件在运行中能有效抑制发热, 提升系统的整体能效。 该组件适用于各类电源转换模块、电机驱动电路以及高亮度照明控制系统, 为复杂的电子架构提供稳定可靠的功率管理支持。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

14

货期

现货

FQP18N20V2-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存14

FQP18N20V2-HXY概述

这款N沟道场效应管具备200V的耐压能力与18A的持续电流处理能力, 其导通电阻控制在120mΩ(典型值), 配合±20V的栅源极电压范围, 使其在高压环境下能实现高效的开关动作。 得益于较低的导通损耗, 器件在运行中能有效抑制发热, 提升系统的整体能效。 该组件适用于各类电源转换模块、电机驱动电路以及高亮度照明控制系统, 为复杂的电子架构提供稳定可靠的功率管理支持。

FQP18N20V2-HXY特性

暂无产品特性。

FQP18N20V2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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