FQP12N60C

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有平面条纹DMOS技术生产。 这种先进技术经过特别设计， 可最大限度地降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。