FQD7P06-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
FQD7P06-HXY
此场效应管为P型， 电流15A， 可承载一定的电流负荷。 电压达60V， 适用于多种常见电路场景。 内阻典型值95mR， 在一定程度上控制能量损耗。 VGS为20V。 在消费电子领域， 可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
175
货期
现货
FQD7P06-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 175 |
FQD7P06-HXY概述
此场效应管为P型， 电流15A， 可承载一定的电流负荷。 电压达60V， 适用于多种常见电路场景。 内阻典型值95mR， 在一定程度上控制能量损耗。 VGS为20V。 在消费电子领域， 可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
FQD7P06-HXY特性
暂无产品特性。
FQD7P06-HXY应用领域
暂无应用领域。