FQD7N20LTM

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。 此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻， 提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。 此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。