FQD6N40CTM
IC
TO-252
可供量大可议
FQD6N40CTM
场效应管(MOSFET) 2.5W； 48W 400V 4.5A 1个N沟道
品牌
ON
封装
TO-252
库存
19,358
货期
现货
FQD6N40CTM参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 830mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 625pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19,358 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 400V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@320V |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF |
FQD6N40CTM概述
场效应管(MOSFET) 2.5W； 48W 400V 4.5A 1个N沟道
FQD6N40CTM特性
暂无产品特性。
FQD6N40CTM应用领域
暂无应用领域。