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FQD4P25TM_WS-VB
IC

TO-252

可供量大可议

FQD4P25TM_WS-VB

TO252; P—Channel沟道, -250V; -6A; RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-2~-4V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

1

货期

现货

FQD4P25TM_WS-VB参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

FQD4P25TM_WS-VB概述

TO252; P—Channel沟道, -250V; -6A; RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-2~-4V

FQD4P25TM_WS-VB特性

暂无产品特性。

FQD4P25TM_WS-VB应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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