FQD3P50TM-VB
IC
TO-252
可供量大可议
FQD3P50TM-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO252； P—Channel沟道； -500V； -4A； RDS(ON)=4000(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-3V； 采用Plannar技术
Brand
VBsemi
Package
TO-252
Stock
15
货期
现货
FQD3P50TM-VBParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
FQD3P50TM-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO252； P—Channel沟道； -500V； -4A； RDS(ON)=4000(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-3V； 采用Plannar技术
FQD3P50TM-VB特性
暂无产品特性。
FQD3P50TM-VB应用领域
暂无应用领域。